FBD是全緩沖雙列直插式存儲(chǔ)模塊（Fully-Buffer DIMM）的簡(jiǎn)稱，是一種串行傳輸技術(shù)，可以提升內(nèi)存的容量和傳輸帶寬。FBD其實(shí)就是在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)DDR2內(nèi)存基礎(chǔ)上，增加了一枚用于數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)、讀寫控制的緩沖控制芯片。FBD是在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)跨越式的性能提升，其最大的特點(diǎn)就是采用已有的DDR2內(nèi)存芯片，借助一個(gè)緩沖芯片將并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行數(shù)據(jù)流。

所以，F(xiàn)BD內(nèi)存是很容易與前面所講的幾種內(nèi)存區(qū)分的，因?yàn)镕BD內(nèi)存的中間部位有一顆控制芯片，我們可以簡(jiǎn)單的認(rèn)為這是內(nèi)存用CPU，因?yàn)檫@個(gè)芯片的發(fā)熱量比較大，所以FBD內(nèi)存的中部都帶有金屬的散熱片。

FBD內(nèi)存現(xiàn)在已經(jīng)應(yīng)用在雙核的服務(wù)器平臺(tái)上，Intel的5000系列和5100系列CPU所使用的系統(tǒng)都是采用的FBD內(nèi)存?？梢哉f(shuō)，按照目前的發(fā)展趨勢(shì)看，F(xiàn)BD內(nèi)存將被廣泛使用在服務(wù)器領(lǐng)域。但是因?yàn)樗厦娴哪莻€(gè)控制芯片的發(fā)熱量很大，所以，這種內(nèi)存的功耗和散熱也是一個(gè)很頭疼的問(wèn)題。